液晶表示装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029367
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227611
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 TFTアレイ基板の表面に金属膜を露出させずに大きい静電容量が得られ、生産時の歩留りを向上させると共に画像の安定性も向上させた液晶表示装置を得る。【解決手段】それぞれの画素領域102に配置されアドレス配線11に接続されたゲート11aによりゲート絶縁膜5の上に形成されたデータ配線12と透明電極6とを選択的に接続する薄膜トランジスタ部103を備えると共に、それぞれの画素領域102に、前記ゲート絶縁膜5の上に前記データ配線12と同じ導電膜にて形成された第1の電極10と、前記ゲート絶縁膜5の上に形成された上層絶縁膜8の上に透明電極6と同じ透明導電膜にて形成された第2の電極25と、前記上層絶縁膜8とにより容量部105を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された複数のアドレス配線と、この上に形成されたゲート絶縁膜と、この上に前記アドレス配線と交差するように形成された複数のデータ配線と、この上に形成された上層絶縁膜と、この上に形成され、前記アドレス配線とデータ配線とで囲まれたそれぞれの画素領域に配設された透明導電膜からなる透明電極と、それぞれの画素領域に配置され前記アドレス配線に接続されたゲートにより前記データ配線と前記透明電極とを選択的に接続する薄膜トランジスタ部とを備えると共に、それぞれの画素領域に、前記ゲート絶縁膜の上に前記データ配線と同じ導電膜にて形成された第1の電極と、前記上層絶縁膜の上に前記透明電極と同じ透明導電膜にて形成された第2の電極と、前記上層絶縁膜とにより形成された容量部を備えたことを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

G02F 1/1365 , G09F 9/30 338 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 612 Z

Fターム (47件)：

2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA46 , 2H092JB64 , 2H092JB66 , 2H092JB68 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KA22 , 2H092KB04 , 2H092KB13 , 2H092MA12 , 2H092MA37 , 2H092NA07 , 2H092NA18 , 2H092NA28 , 2H092PA02 , 2H092PA09 , 5C094AA07 , 5C094AA42 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094DA15 , 5C094EA05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-335617
特開平3-294824
特開平4-326329

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