発光ダイオード及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203397
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036129
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】電極保護を行なう必要なしに、半導体チップ上面及び側面の凹凸化及び薄膜形成を同時に行なうことにより、コストを低減するようにした発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 pn接合を備え、GaAs系のn層を上面に配設した半導体チップ20と、この半導体チップの上面及び反対側の裏面に配設した電極14,15とを含んでおり、この半導体チップ上面の電極15以外の領域及び側面Aから光を取り出すように構成した発光ダイオード10において、電極15以外の半導体チップ上面及び側面Aに、表面粗さが0.5乃至5.0μm程度の凹凸面17を設けると共に、その凹凸面17に、半導体チップ材料を含むヒ素化合物の薄膜18を付着させる。

請求項（抜粋）：

n型の第一の半導体領域とp型の第二の半導体領域とでpn接合を形成するように配置された半導体チップと、この半導体チップの上面及び反対側の裏面に配設された電極とを含んでおり、該半導体チップ上面の電極以外の領域及び側面から光を取り出すように構成された発光ダイオードにおいて、上記電極以外の半導体チップ上面及び/又は側面が、0.5乃至5μm程度の凹凸面を有すると共に、少なくともその凹凸面に、上記半導体チップ材料を含む化合物の薄膜が付着していることを特徴とする、発光ダイオード。

Fターム (5件)：

5F041AA03 , 5F041AA07 , 5F041CA14 , 5F041CA35 , 5F041CA77

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-175776
改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050033 出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-357530 出願人：サンケン電気株式会社

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