特許

J-GLOBAL ID：200903026860256023

ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置

発明者： 佐野 道宏 ,  八百 隆文
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社 ,  八百 隆文
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370632
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264201
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 ZnO結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置に関し、サファイヤ基板上に成長されるZnO結晶の結晶欠陥を低減し、良質なZnO結晶を成長する結晶成長方法を提供する。【解決手段】 基板上に、亜鉛(Zn)リッチもしくは酸素(O)リッチの条件にてZnO単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ZnO単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したZnO単結晶バッファー層上に単結晶ZnO層を成長する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に、亜鉛(Zn)リッチもしくは酸素(O)リッチの条件にてZnO単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ZnO単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したZnO単結晶バッファー層上に単結晶ZnO層を成長する工程とを含むZnO結晶の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D

Fターム (32件)：

5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC11 ,  5F045AD10 ,  5F045AE07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB06 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP06 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-045311   出願人：株式会社村田製作所
• 特開昭54-162688
  
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217100   出願人：ミノルタ株式会社
• 半導体発光素子、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-041888   出願人：株式会社村田製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of p-type Zinc Oxide Films by Chemical Vapor Deposition