特許
J-GLOBAL ID:200903026871034456
インプリント法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-083453
公開番号(公開出願番号):特開2007-253544
出願日: 2006年03月24日
公開日(公表日): 2007年10月04日
要約:
【課題】離型性を向上させるために、表面処理が可能で、かつ、良好なナノメーターオーダーのパターン形成に有用な、レジストの薄膜化が可能な、インプリント法を提供すること。【解決手段】所定のパターンの凹凸面を有するモールドと、表面にレジスト膜が形成された基板とを、前記凹凸面とレジスト膜とが対向するように重ね合わせ、前記モールドの凹凸面の凹凸形状を前記レジスト膜に転写するインプリント方法において、前記レジスト膜は、非晶質カーボン膜であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
所定のパターンの凹凸面を有するモールドと、表面にレジスト膜が形成された基板とを、前記凹凸面とレジスト膜とが対向するように重ね合わせ、前記モールドの凹凸面の凹凸形状を前記レジスト膜に転写するインプリント方法において、前記レジスト膜は、非晶質カーボン膜であることを特徴とするインプリント法、
IPC (5件):
B29C 59/02
, H01L 21/027
, G03F 7/20
, B82B 3/00
, B29C 59/00
FI (5件):
B29C59/02 Z
, H01L21/30 502D
, G03F7/20 501
, B82B3/00
, B29C59/00 Z
Fターム (16件):
2H097AA20
, 2H097FA10
, 2H097LA10
, 4F209AD08
, 4F209AD20
, 4F209AF01
, 4F209AG03
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 5F046AA28
引用特許: