半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327980
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134820
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】ジャンクションダウン実装の実装面から半導体レーザの活性層までの高さ調整を容易にする。【解決手段】半導体積層構造20上に、実装面から活性層12までの高さ調整用の支柱16を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された半導体積層構造と、前記半導体積層構造上に形成された複数の支柱とを有することを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (8件)：

5F073AA74 , 5F073BA01 , 5F073CA12 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073FA21

引用特許：

審査官引用 (6件)

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