特許
J-GLOBAL ID：200903026907391617
高集積半導体装置のキャパシター及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036477
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264732
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【課題】 高集積半導体装置のキャパシター及びその製造方法を提供する。【解決手段】 高集積半導体装置のキャパシターにおいて、多数の半球形の突起が表面の全面に形成された蓄積電極を備える。本発明によれば、蓄積電極の表面積を極大化することができ、静電容量を増やした半導体装置のキャパシターを具現することができる。
請求項（抜粋）：
高集積半導体装置のキャパシターにおいて、多数の半球形の突起が全面に形成された蓄積電極を具備することを特徴とする高集積半導体装置のキャパシター。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 B
, H01L 27/04 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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