特許
J-GLOBAL ID：200903026917284827
発光素子及び発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259396
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174197
出願日： 2002年09月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 発光駆動用の電極としてITO透明電極層を電極接合層を介して接合し、該電極の接触抵抗を低減するとともに、電極接合層形成に際して発光層部との格子定数差の影響も受けにくい発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 発光素子100は、発光層部24に発光駆動電圧を印加するためのITO透明電極層8を有し、発光層部24からの光が、該ITO透明電極層8を透過させる形で取り出される。また、発光層部24とITO透明電極層8との間に、Inを含有したGaAsよりなる電極接合層7が、該ITO透明電極層と接するように配置され、ITO透明電極層8の接合界面において、電極接合層7の形成領域と非形成領域とが混在する。該電極接合層7は、発光層部上にGaAs層7”を形成し、そのGaAs層7”と接するようにITO透明電極層8を形成した積層体13を熱処理することにより、ITO透明電極層8からGaAs層7”にInを拡散させて形成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体層からなる発光層部と、該発光層部に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層とを有し、前記発光層部からの光を、前記酸化物透明電極層を透過させる形で取り出すようにした発光素子において、前記発光層部と前記酸化物透明電極層との間に、前記酸化物透明電極層の接合抵抗を減ずるための電極接合層が、該酸化物透明電極層に接するように配置され、前記酸化物透明電極層の接合界面において、前記電極接合層の形成領域と非形成領域とが混在してなることを特徴とする発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 B
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA88
, 5F041CA99
