特許
J-GLOBAL ID：200903026955576610

銅相互接続配線およびこれを形成する方法

発明者：
ゲフケン、ロバート、エム.

ゲフケン、ロバート、エム. について

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ハウタラ、ジョン、ジェイ.

ハウタラ、ジョン、ジェイ. について

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シェルマン、スティーブン、アール.

シェルマン、スティーブン、アール. について

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ラーン、アーサー、ジェイ.

ラーン、アーサー、ジェイ. について


出願人/特許権者：
ティーイーエル エピオン インク.

ティーイーエル エピオン インク. について


代理人 (5件)： 廣江 武典 ,  武川 隆宣 ,  ▲高▼荒 新一 ,  西尾 務 ,  神谷 英昭
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-540161
公開番号（公開出願番号）：特表2008-519458
出願日： 2005年11月08日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層(602)の表面上のキャッピング層(614)およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。【選択図】図5A
請求項（抜粋）：
一つ以上の銅相互接続表面と一つ以上の誘電体表面とを含む構造体について、 減圧されたチャンバ内に前記構造体を配置するステップと、 前記減圧されたチャンバ内で加速されたキャッピング(以下、「保護」あるいは「被覆」を意味するものとする。)GCIB(以下、「ガスクラスターイオンビーム」を意味するものとする。)を形成するステップと、 前記加速されたキャッピングGCIBが方向付けられる前記一つ以上の表面上に少なくとも一つのキャッピング構造体を形成するように、前記一つ以上の銅相互接続表面と前記一つ以上の誘電体表面のうちの少なくとも一つに前記加速されたキャッピングGCIBを方向付けるステップと、を備える、キャッピング構造体を形成する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/318
FI (3件)：
H01L21/90 L ,  H01L21/314 M ,  H01L21/318 A
Fターム (64件)：
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033LL02 ,  5F033LL03 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033SS26 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033XX05 ,  5F033XX21 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC07 ,  5F058BC08 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BE04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF19 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF36 ,  5F058BF38 ,  5F058BF76 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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