特許
J-GLOBAL ID:200903026959062328

薄膜形成装置および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-105807
公開番号(公開出願番号):特開2000-302592
出願日: 1999年04月13日
公開日(公表日): 2000年10月31日
要約:
【要約】【課題】 低消費電力で選択的にかつ安定的にダイヤモンド等の薄膜を形成する。【解決手段】 有機溶媒が含まれた溶液(141)中に基板(S)を浸す。そして電極(111)と基板(S)との相対距離Wを一定距離以下に設定する。この状態で、電極(111)と基板(S)との相対位置を変化させながら、電極(111)と基板(S)との間に電圧を印加させる。電極を基板表面に接近させることにより、設定された領域に有効にエネルギーを供給させ電気分解を促進させることができるので、ダイヤモンド薄膜である構造体Dを基板表面に形成することができる。
請求項(抜粋):
微細端を有する電極により試料表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記微細端を有する第1の電極と、試料を任意の電位に保持する第2の電極と、前記第1の電極と試料との相対位置を調整する搬送手段と、所定の有機溶媒が含まれた溶液中に前記試料を浸す手段と、前記第1の電極および第2の電極間に所定の電圧を印加する印加手段と、前記搬送手段により前記第1の電極と試料との距離を一定距離以下に設定し、かつ、前記電極と試料との相対位置を変化させながら、前記印加手段により前記第1の電極と第2の電極との間に電圧を印加させる制御手段と、を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
Fターム (8件):
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077CB01 ,  4G077CB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ01 ,  4G077GA06 ,  4G077HA06
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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