アクティブマトリクス型液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019825
公開番号（公開出願番号）：特開平10-206893
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】トップゲイト型もしくはボトムゲイト型の薄膜トランジスタトランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素の補助容量の形成方法に関する新規な構造を提供する。【解決手段】ソースライン18と、それと同一層内の金属配線19を覆って、窒化珪素の如き誘電率の高い第1の絶縁性薄膜20を形成し、さらにその上に平坦性に優れた第2の絶縁膜21を形成する。そして、第2の絶縁膜21をエッチングして、開孔部22を設け、第1の絶縁膜20を選択的に露出させる。この上に遮光膜として機能する導電性被膜23を形成し、これと金属配線19の間に絶縁膜20を誘電体とする容量を形成し、これを画素の補助容量とする。また、補助容量は液晶分子の配向乱れ(ディスクリネーション)の影響の大きな部分に選択的に設けることにより、実質的な開口率を向上できる。

請求項（抜粋）：

スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、ゲイトライン上に形成されたソースラインと、遮光膜として機能し、一定の電位に保持され、前記ソースラインと画素電極の中間の層にある導電性被膜と、ソースラインと前記導電性被膜との間に形成された層間絶縁物と、を有し、前記層間絶縁物は、下層の絶縁物層上に、異種の材料よりなる上層の絶縁物層があり、前記層間絶縁物には、その上層の絶縁物層を選択的にエッチングすることによって得られた開孔部が設けられ、前記開孔部において、前記導電性被膜と、下層の金属配線を両電極とし、前記下層の絶縁物層を誘電体とする補助容量が形成されており、前記下層の金属配線は、ソースラインと同層で、かつ、ソースラインと物理的に絶縁し、薄膜トランジスタのドレインと画素電極との間にコンタクトを有することを特徴とする。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 612 Z

引用特許：

出願人引用 (11件)

表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-065185 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-081485 出願人：キヤノン株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-275732 出願人：セイコーエプソン株式会社

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