固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307349
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115581
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】充分な感度を確保しつつ多画素化を図る。【解決手段】半導体基板6の表面部にマトリクス状に配列した多数の光センサー4を含む。光センサー4が生成した電荷は光センサー4の下方に埋め込まれた第1および第2の転送電極12、14により転送される。半導体基板6はシリコンによる支持基板16、バッファー層18、単結晶シリコンによる薄膜シリコン層20を積層して構成されている。光センサー4はp+領域22およびn型領域24から成り、その下にp-領域26(オーバーフローバリア)と、転送路としてのn型領域28が形成されている。第1および第2の転送電極12、14は、n型領域28とバッファー層18との間に埋め込まれ、n型領域28との間には絶縁膜30が介在している。この構造では表面部に転送電極が存在せず受光面積が拡大するので多画素化のために光センサー4を小型化しても感度を確保できる。

請求項（抜粋）：

互いに隣接する多数の光センサーにより構成された固体撮像素子であって、支持基板と、この支持基板の表面に形成された絶縁材料から成るバッファー層と、このバッファー層の上に形成された単結晶シリコンの薄膜と、この単結晶シリコンの薄膜中に互いに側方に隣接して形成された多数の光センサーと、この光センサーと前記バッファー層との間に埋め込まれ前記光センサーが受光して生成した信号電荷を制御する電極とを備えたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 , H01L 21/76 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 B , H01L 21/76 L , H01L 31/10 A

Fターム (36件)：

4M118AA01 , 4M118AA02 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA13 , 4M118CA04 , 4M118CA40 , 4M118CB13 , 4M118DA20 , 4M118DB01 , 4M118DB03 , 4M118EA01 , 4M118EA16 , 4M118FA13 , 4M118FA28 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA46 , 5F032AC01 , 5F032CA15 , 5F032DA34 , 5F032DA43 , 5F032DA71 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049NA04 , 5F049NA18 , 5F049NA19 , 5F049NB05 , 5F049PA05 , 5F049PA10 , 5F049PA15 , 5F049QA07 , 5F049QA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-278768
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224376 出願人：ソニー株式会社
3次元CCD映像センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197467 出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド

全件表示

前のページに戻る