特許

J-GLOBAL ID：200903027040718916

窒化物半導体光素子及びその形成方法

発明者： 小川 悟
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176586
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007397
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】反射層を有する窒化物半導体光素子に関し、特に、光利用効率の向上を図ると共に信頼性の高い窒化物半導体光素子を提供することにある。【解決手段】基板上に形成された窒化物半導体と、基板を介して窒化物半導体と対向する面側に反射層を有する窒化物半導体光体素子である。特に、反射層は窒素元素を含むアルミニウムである。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された窒化物半導体と、前記基板の窒化物半導体と対向する面側に設けられた反射層とを有する窒化物半導体光素子であって、前記反射層は、窒素を含む金属元素からなる層を有することを特徴とする窒化物半導体光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041AA31 ,  5F041AA43 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F041FF01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-091041   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-056047   出願人：日亜化学工業株式会社
• 化合物半導体の電極構造及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-170821   出願人：シャープ株式会社