特許
J-GLOBAL ID：200903035522272535
化合物半導体の電極構造及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170821
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017226
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 n型の導電型を有するGaN系化合物半導体層に対し、良好な特性を示すオーミック電極を提供する。【解決手段】 n型GaN系化合物半導体層に対して、電極表面からZr層、Zr窒化物層、n型GaN層からなる電極構造を形成する。Zr窒化物中間層はZrおよびn型GaNのいずれとも親和性が高く、密着強度の改善・機械的強度の向上が図れるとともに、熱的安定性に優れた電極構造が形成できる。
請求項（抜粋）：
n型不純物を含むGaN系化合物半導体層に対する電極構造において、該電極構造が前記GaN系化合物半導体層から順に、第1の金属とNの化合物とからなる第1層、前記第1層上に前記第1の金属からなる第2層、を含む多層構造体により形成されていることを特徴とする化合物半導体の電極構造。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
, H01S 3/18
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01L 21/28 301 H
, H01S 3/18
