冗長メモリセルを有する装置、及び、冗長メモリセルにアクセスするための方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-545099
公開番号（公開出願番号）：特表2002-512416
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2002年04月23日
要約：

【要約】本発明によると、ブロックに分割されたメモリの冗長メモリセルにフレキシブルにアクセスすることができる。所定ブロックの冗長列線も冗長行線も、他のブロックの欠陥を除去するのに使用することによって、他のブロック内に冗長メモリセルがある場合、当該他のブロック内で多数の欠陥を除去することができる。本発明は、アドレス毎に1ビット又は複数ビットの情報を並列に書き込み又は読み出す全てのメモリアーキテクチュアに用いることができる。

請求項（抜粋）：

各々選択アドレスを介して選択可能なメモリセルと冗長メモリセルとからなるメモリブロックを有するメモリ装置であって、前記メモリセルは、列デコーダ及び行デコーダ、及び、メモリブロック中の前記冗長メモリセルの1つを選択するためのプログラミング可能なデコーダと共に列及び行に配設されているメモリ装置において、プログラミング可能なデコーダの1つの少なくとも1つの所定のメモリブロックで、当該所定のメモリブロックが、他のメモリブロック用の選択アドレスを用いて、冗長メモリセルにアクセスするために選択可能であるようにプログラミングされていることを特徴とするメモリ装置。

Fターム (10件)：

5L106AA01 , 5L106AA02 , 5L106AA07 , 5L106AA10 , 5L106CC04 , 5L106CC08 , 5L106CC12 , 5L106CC17 , 5L106CC21 , 5L106CC32

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-051308 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
特開平1-276496
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-022774 出願人：三菱電機株式会社

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