特許
J-GLOBAL ID：200903027123173326
半導体パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-424421
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183776
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】フィルタ素子として使用される磁性部材を必要に応じて交換可能にし、かつ、パッケージの小型化を可能にした半導体パワーモジュールを提供する。 【解決手段】IGBT等の電力用半導体素子のスイッチングにより直流電力や交流電力の電力変換を行う電力変換装置用の半導体パワーモジュールを改良したものである。モジュールパッケージ21内の電力用半導体素子に接続された端子、例えば端子2a,2bを包囲するように環状磁性部材6cを配置する。これにより、電力用半導体素子のスイッチングに伴って端子2a,2bを流れるノイズ電流を効果的に抑制する。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
電力用半導体素子がモジュールパッケージに内蔵され、かつ、前記電力用半導体素子に接続された端子が前記モジュールパッケージの外側に配置されてなる半導体パワーモジュールにおいて、
前記端子を包囲するように、この端子を流れるノイズ電流を低減させるための環状磁性部材を配置したことを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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