特許
J-GLOBAL ID:200903000473805982

半導体スイッチ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-369640
公開番号(公開出願番号):特開2001-185679
出願日: 1999年12月27日
公開日(公表日): 2001年07月06日
要約:
【要約】【課題】 複数の半導体素子が並列に接続された半導体スイッチ装置において、ターンオフ時の電流振動を抑制する。【解決手段】 複数の半導体素子が並列に接続されて構成される半導体スイッチ装置において、モジュールゲート配線分岐点と各IGBT素子ゲートパッドとの間のいずれかの経路上にフェライトコアを挿入したので、IGBTのターンオフ時の高周波振動が発生しなくなりモジュールの誤動作を防止できる。
請求項(抜粋):
複数の半導体スイッチ素子が並列に接続されて構成される半導体スイッチ装置において、半導体スイッチ装置のゲート配線分岐点と、各半導体スイッチ素子のゲートパッドとの間の配線経路のいずれかの位置に高周波損失素子を挿入したことを特徴とする半導体スイッチ装置。
IPC (3件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H03K 17/16
FI (2件):
H03K 17/16 Z ,  H01L 25/04 C
Fターム (13件):
5J055AX21 ,  5J055AX25 ,  5J055AX41 ,  5J055AX56 ,  5J055CX00 ,  5J055CX07 ,  5J055CX19 ,  5J055DX09 ,  5J055DX73 ,  5J055GX00 ,  5J055GX06 ,  5J055GX07 ,  5J055GX08
引用特許:
審査官引用 (5件)
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