特許
J-GLOBAL ID：200903027189350172
デバイスを処理する方法及びシステム、デバイスをモデリングする方法及びシステム、並びにデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-577145
公開番号（公開出願番号）：特表2004-532520
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
基板(13)又は基板上に形成された他の構造体の電気的又は物理的特性に望ましからぬ変化を生じることなく基板に形成された所定のマイクロ構造体(10)を局部的に処理するための方法及びシステム。この方法は、所定のマイクロ構造体(10)、基板(13)及び他の構造体とレーザパルス(13)との相互作用のモデルに基づいて情報を与えることを含む。少なくとも1つのパルス(13)の少なくとも1つの特性は、この情報に基づいて決定される。少なくとも1つのパルス(3)を含むパルスレーザビーム(3)が発生される。この方法は、更に、少なくとも1つの決定された特性を有する少なくとも1つのパルス(3)を所定のマイクロ構造体(10)上のスポットに照射することを含む。少なくとも1つのパルス(3)の少なくとも1つの決定された特性及び他の特性は、望ましからぬ変化を生じることなく所定のマイクロ構造体(10)を局部的に処理するのに充分なものである。
請求項（抜粋）：
基板と、マイクロ構造体と、基板からマイクロ構造体を分離する内側層を有する多層スタックとを備えた多レベル多材料デバイスをレーザ処理するための方法において、
a)所定波長のパルスレーザビームであって、時間的形状及び空間的形状の少なくとも1つより成る所定の特性を有する少なくとも1つのレーザパルスを含むパルスレーザビームを発生し、
b)少なくとも基準位置に得られた位置測定値に基づいて三次元空間内で上記マイクロ構造体及びレーザビームのくびれ部を相対的に位置設定し、上記位置測定値は、上記マイクロ構造体及び上記ビームくびれ部の共通位置の予想を得るのに使用され、そして
c)上記ビームくびれ部と上記マイクロ構造体が実質的に一致するときに上記予想される共通位置に基づいて少なくとも1つのレーザパルスを上記マイクロ構造体に照射し、上記マイクロ構造体における実質的に最大のパルスエネルギー密度で上記マイクロ構造体をきれいに除去し、そして上記スタックの内側層及び上記基板への望ましからぬ変化を回避する、
という段階を備えた方法。
IPC (5件)：
H01L21/82
, B23K26/00
, B23K26/02
, G11C29/00
, H01L21/304
H01L21/82 F
, B23K26/00 H
, B23K26/00 M
, B23K26/02 A
, G11C29/00 603Z
, H01L21/304 645D
4E068CA01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA05
, 4E068CA07
, 4E068CA08
, 4E068CA14
, 4E068CB02
, 4E068CB06
, 4E068CC01
, 4E068CC06
, 4E068CD05
, 4E068CD07
, 4E068DA10
, 4E068DB01
, 5F064BB14
, 5F064EE22
, 5F064EE32
, 5F064FF02
, 5F064FF27
, 5F064FF32
, 5F064FF43
, 5F064FF48
, 5F064HH09
, 5L106CC04
, 5L106CC12
, 5L106GG07
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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特開平4-023453
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特開平4-023453
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特開平4-023453
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