特許
J-GLOBAL ID：200903027201882193
密封されたチャンバを有するウエハー対を製造する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-541738
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510865
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2002年04月09日
要約：
【要約】ウエハー対を製造する方法であり、ウエハー対の一方のウエハーには少なくとも1のくぼみ部が形成され、他方のウエハーはその外面の蒸着層で閉鎖される栓可能なポートを有し、くぼみ部は他方のウエハーを一方のウエハーと接着することによりくぼみ部がチャンバに形成される。蒸着層の蒸着は極めて低い圧力環境で実行可能であるので、密封されたチャンバ内で同じ環境が保証される。チャンバは熱電センサ、ボロメータ、エミッタあるいは他の種類の装置のような少なくとも1の装置を囲む。ウエハー対は通常それぞれ装置を有する多くのチャンバを有し、多くのチップに分割可能である。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハーの第1の側上に熱層を成長させる工程と、熱層上に窒化物層を蒸着する工程と、複数の装置の窒化物層上に第1の金属層の一部を蒸着し、パターニング処理して除去する工程と、複数の装置の窒化物層及び第1の金属層上に第2の金属層の一部を蒸着し、パターニング処理し除去する工程と、第1のシリコンウエハーの第1の側上のシリコンウエハー及び所定の層から必要に応じて第1のシリコンウエハーの第2の側から材料をパターニング処理して除去し、第1のシリコンウエハー及び第1のシリコンウエハー上の所定の層を貫通して複数の排気ポートを形成する工程と、第2のシリコンウエハーの第1の側からマスキング処理し材料を除去し第2のシリコンウエハーの第1の側に複数のくぼみ部を形成する工程と、複数のくぼみ部のそれぞれの周囲に第2のシリコンウエハーの第1の側上に密封リングを形成する工程と、第2のシリコンウエハーの第1の側の隣に第1のシリコンウエハーの第1の側を配置する工程とを包有し、各密封リングは第1のシリコン層の第1の側上で層の少なくとも一と接触させ、複数のくぼみ部のそれぞれは複数の装置の少なくとも一を含むチャンバとし、各密封リングは複数の排気ポートの少なくとも一を囲み、第1及び第2のウエハーが組をなすウエハーとして接合されてなる、蒸着層で栓がされ密封されたチャンバを有するウエハー対を製造する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
2G065AB02
, 2G065AB03
, 2G065BA11
, 2G065BA12
