特許
J-GLOBAL ID：200903027246710091

半導体装置の製造方法

発明者：
牧田 直樹

牧田 直樹 について

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守口 正生

守口 正生 について

, 
坂本 弘美

坂本 弘美 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332579
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155995
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 触媒元素のゲッタリング率を高めてオフ動作時おけるリーク電流の異常な増大を無くす。【解決手段】 ガラス基板1上にa-Si膜3を形成する。a-Si膜3上にライン状のスルーホール領域5を有するマスク4を形成し、スルーホール領域5を介してニッケル6を導入して横方向に結晶成長させる。次に、マスク4を再度パターニングし、スルーホール領域5および成長境界部3cを開口すると共にTFTの活性領域よりも一回り大きなマスク4'を形成し、リン7をイオンドーピングする。こうして、マスク4'下の結晶性ケイ素膜3b中のニッケル6をゲッタリングし、ニッケル濃度を5×1016atoms/cm3程度にまで大幅に低減する。その結果、オフ動作時のリーク電流の異常な増大が全く無いTFTを得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に非晶質ケイ素膜を形成し、この非晶質ケイ素膜の一部に結晶化を促進する触媒元素を選択的に導入する工程と、加熱処理を施して、上記触媒元素が導入された第1領域からその周辺領域へ向って上記基板と平行に上記非晶質ケイ素膜を結晶化させる工程と、上記結晶化によって得られた結晶性ケイ素膜における上記第1領域よりも広い領域に、5族Bから選ばれた元素を選択的に導入する工程と、加熱処理を行なって、上記5族Bから選ばれた元素が導入された第2領域に、この第2領域以外の第3領域中の上記触媒元素を移動させる工程と、上記結晶性ケイ素膜における上記第3領域を用いて半導体装置の活性領域を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (60件)：
5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA24 ,  5F052HA01 ,  5F052HA03 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP27 ,  5F110PP29 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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