半導体装置及び配線用レチクルの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：高矢諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-199967
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163210
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の表面を平坦化する。【解決手段】ダミー配線の挿入が許されない配線間スペースに、所定幅L1、L2の仮想配線パターン50、52、54、56を発生させ、該発生させた仮想配線パターンを、当該配線間スペースに面する配線パターンのいずれかに密着させ、該密着後の配線パターンから、最小配線幅に至らなかったノッチ部分を消去することにより、配線パターンを太らせる。配線パターンの配線折れ曲がり部の配線間隔を、単純な折れ曲がりパターンの場合よりも狭める。

請求項（抜粋）：

多層配線が行われる半導体装置の製造方法において、半導体基板上に配線用金属を堆積する工程と、ダミー配線の挿入が許される配線間スペースにはダミー配線が設け、ダミー配線の挿入が許されない配線間スペースは、該配線間スペースに面する配線パターンを太らせることによって減少された配線層を形成する工程と、前記配線層の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の表面を平坦化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , G06F 17/50 , H01L 21/82

FI (4件)：

H01L 21/88 S , G06F 15/60 658 H , H01L 21/82 W , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-307958
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-223403 出願人：株式会社リコー
特開平4-369249

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