特許
J-GLOBAL ID：200903027383791376
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084504
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283905
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 露光によるレジストパターンの形成においては、波長によって微細化に限界がある。この限界を超えるとともに、パターン形状に優れ、かつ清浄なレジストパターンを有する半導体の製造方法を得る。【解決手段】 露光により酸を発生する材料を含む第1のレジストパターン1a上を、不飽和結合もしくは水酸基を有し、酸の存在で架橋する樹脂を含む第2のレジスト2で覆う。露光により第1のレジストパターン1aに架橋層4を形成して現像することにより、第1のレジストパターン1aよりも太った第2のレジストパターン2aを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1のレジストパターンを形成する工程と、この第1のレジストパターン上に酸により架橋反応を起こす第2のレジストを形成する工程と、酸の供給により上記第1のレジストパターンに接する上記第2のレジスト界面部分に架橋層を形成する工程と、上記第1のレジストパターンを溶解させないで上記第2のレジストの非架橋部分を溶解し現像して第2のレジストパターンを形成する工程と、この第2のレジストパターンをマスクとして上記半導体基板をエッチングする工程とを備え、上記第2のレジスト材料として不飽和結合もしくは水酸基を有し酸により架橋する樹脂、または架橋剤および酸の存在下でこの架橋剤により架橋される樹脂を含有するものを用いた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/038 505
, H01L 21/3065
H01L 21/30 569 F
, G03F 7/038 505
, H01L 21/302 H
