半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341698
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186240
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【目的】寄生容量が小さく信頼性及び耐熱性の高い半導体デバイスを高い生産効率で作製する。【構成】半導体デバイスは、III -V族化合物で形成されエミッタ及びコレクタの能動領域の幅がベースの能動領域より小さい半導体素子が異種材料の基板8上に一体的に設けられる。デバイスの半導体積層物3は、1あるいは複数の半導体素子を構成する小部分に細分化され、該半導体積層物の小部分が散在し且つ基板8に接しないように絶縁体6が該半導体積層物を覆う。一側から成形加工した半導体積層物を被覆する絶縁体層を形成し、300〜400°Cに加熱しながら基板を絶縁体層に接合する。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物で形成されエミッタ及びコレクタの能動領域の幅がベースの能動領域より小さい半導体素子が異種材料の基板上に一体的に設けられることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/082 , H01L 29/205 , H01L 29/43 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (5件)：

H01L 27/08 101 B , H01L 29/205 , H01L 29/46 H , H01L 29/46 R , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-276480 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-236580 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-062377

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