特許
J-GLOBAL ID：200903027418997134

組成物、薄膜の作製方法、及び発光素子の作製方法

発明者：
下垣 智子

下垣 智子 について

, 
瀬尾 哲史

瀬尾 哲史 について

, 
鈴木 恒徳

鈴木 恒徳 について

, 
川上 祥子

川上 祥子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-116446
公開番号（公開出願番号）：特開2009-299049
出願日： 2009年05月13日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】アントラセン誘導体が溶解した組成物、及びその組成物を用いて湿式法により膜質の良好な薄膜を作製する技術を提供することを目的とする。また、その組成物を用いて、信頼性の高い発光素子を、低コストで生産性よく作製することを目的とする。【解決手段】アントラセン構造とカルバゾリル基を一つずつ含み、かつカルバゾリル基はアントラセン構造と直接結合するか、又はフェニル基を介して結合するアントラセン誘導体、及び溶媒を有する組成物を提供する。この組成物を用いて湿式法で良質な膜質の薄膜を形成することができる。従ってそのような薄膜を用いて信頼性の高い発光素子を作製することができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
アントラセン構造とカルバゾリル基を一つずつ含み、かつ前記カルバゾリル基は前記アントラセン構造と直接結合するか、又はフェニル基を介して結合するアントラセン誘導体、及び溶媒を有することを特徴とする組成物。
IPC (3件)：
C09K 11/06 ,  C07D 209/86 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
C09K11/06 645 ,  C07D209/86 ,  H05B33/14 B
Fターム (16件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107DD59 ,  3K107DD70 ,  3K107DD78 ,  3K107GG04 ,  3K107GG06 ,  4C204CB25 ,  4C204DB01 ,  4C204EB01 ,  4C204FB08 ,  4C204GB01
引用特許：
審査官引用 (15件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM