特許
J-GLOBAL ID:200903027433706723

セラミックハニカム体の焼成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柳田 征史 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-523173
公開番号(公開出願番号):特表2001-524451
出願日: 1998年11月23日
公開日(公表日): 2001年12月04日
要約:
【要約】炭素質材料、例えば有機結合剤を含む生コージェライト-セラミックハニカム構造素地の焼成方法は、2つのプロセスフェーズを含む。第1のフェーズは焼成雰囲気に体積にして20%より少ないO2を含むフッ素を含まない低酸素ガスを導入しながら炭素質材料の放出を開始し十分に達成するに足る温度及び時間をもって焼成雰囲気内で生ハニカム構造素地を焼成することを含む。炭素質材料が十分放出された後の第2のフェーズは、生セラミックハニカム構造素地の焼成ハニカム体への転化を開始し十分に達成するに足る時間及び温度をもって生素地を従来通りに焼成することを含む。
請求項(抜粋):
セラミックハニカム構造体を作成する方法において: 焼成セラミックハニカムをつくることができる既定の量の焼結可能な原材料からなるバッチ混合物を配合する工程; 可塑性混合物を形成するために、前記原材料を有効量の炭素質材料と一様に混合する工程; 前記原材料を生ハニカム構造素地に成形し、次いで前記生ハニカム構造素地を乾燥する工程; 体積にして約20%より少ないO2を含むフッ素を含まない低酸素ガスを焼成雰囲気に導入しながら、前記炭素質材料の放出を開始し十分に達成するに足る温度及び時間をもって、前記焼成雰囲気中で前記生ハニカム構造体素地を焼成する工程;を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件):
C04B 35/64 ,  C04B 35/195
FI (2件):
C04B 35/64 A ,  C04B 35/16 A
Fターム (9件):
4G030AA07 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030CA01 ,  4G030CA10 ,  4G030GA14 ,  4G030GA24 ,  4G030HA05 ,  4G030HA08
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (23件)
  • 特開昭61-083689
  • 特開昭61-083689
  • 連続加熱炉
    公報種別:公表公報   出願番号:特願平8-501472   出願人:リートハンメルゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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