特許
J-GLOBAL ID：200903027451984811
薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-096057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298004
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 アモルファスSi膜形成後、エキシマレーザ・アニール前に、必要であった、脱水素処理を不要にする。【解決手段】 所定の周期で間欠的にプラズマ放電を行う間欠放電プラズマCVD法により、ガラス基板10上にアモルファスSi膜15Aを形成する。このように間欠放電プラズマCVD法によりアモルファスSi膜15Aを形成することにより、このアモルファスSi膜15Aの膜中水素濃度を低く抑えることができる。次に、このアモルファスSi膜15Aにエキシマレーザ・アニールをすることにより、このアモルファスSi膜15Aをポリシリコン膜15Bとする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上のポリシリコン膜に形成されたチャネル領域とソース・ドレイン領域とを有する薄膜トランジスタの製造方法において、所定の周期で間欠的にプラズマ放電を行う間欠放電プラズマCVD法により、前記絶縁性基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜にエキシマレーザ・アニールをすることにより、前記アモルファスシリコン膜を前記ポリシリコン膜とする工程と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 627 G
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 618 A
