特許
J-GLOBAL ID：200903070488470322
半導体薄膜の製造方法及びその製造方法を用いたプラズマCVD装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339696
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288228
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【課題】 薄膜を用いた低コストで高性能のデバイスを製造するため、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜できる装置と製造方法を提供する。【解決手段】 プラズマ生成のエネルギーを間欠的に供給することにより、4族水素化合物あるいはその誘導体をプラズマにして活性種に分解し堆積させる半導体薄膜の製造方法であって、このエネルギーの供給時間は、[(プラズマ内の長寿命活性種以外の活性種と反応する母ガスとの2次反応速度定数)×(母ガス分子の数)]の逆数の時間以下に設定されてなることを特徴とする半導体薄膜の製造方法であり、主たる活性種以外の2次反応が抑制され膜の高品質化が可能となる。具体的にはa-Si:H系薄膜で堆積速度を600Å/分以上で、上記エネルギーを50μsec以下の供給時間で間欠的に供給することによってSi-H結合に対するSi-H2結合の含有比を0.5より小さくすることができた。これにより、パウダー発生がなく、高品質の膜を、高速かつ高歩留まりで成膜できる。
請求項（抜粋）：
4族水素化合物あるいは4族水素化合物の誘導体をプラズマ状態にする工程と、該4族水素化合物あるいは該4族水素化合物の誘導体を活性種に分解する工程と、該活性種を基板上に堆積させる工程とを包含する半導体薄膜の製造方法であって、該半導体薄膜の堆積速度が600Å/分以上であり、プラズマ生成エネルギーが50μsec以下の供給時間で間欠的に供給される半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 31/04
, H05H 1/46
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H05H 1/46 Z
, H01L 31/04 V
