特許
J-GLOBAL ID:200903027458295647

水素生成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-396548
公開番号(公開出願番号):特開2002-128506
出願日: 2000年12月27日
公開日(公表日): 2002年05月09日
要約:
【要約】【課題】 積層構造の水素分離機構の強度および信頼性を向上する。【解決手段】 水素の抽出層210,水素分離膜を有する分離層220、改質ガス層230、分離層220の順で3種類の層を繰り返して積層する。各層を多孔質のセラミックスで形成することにより、強度を確保する。改質ガス層、抽出層はそれぞれガスの流れ方向を統一することにより、ガスの供給、排出用の構造を簡素化する。緩衝材を挟んで全体をケーシングで被覆することにより、強度およびシール性を確保する。さらに、分離層220または抽出層210に一酸化炭素をメタン化する触媒を担持し、ピンホール等による一酸化炭素の混入による悪影響を回避する。
請求項(抜粋):
所定の原料から水素を生成する水素生成装置であって、水素ガスを含む混合ガスが流れる多孔質体の混合ガス層と、水素ガスのみを選択的に透過する水素分離層と、前記水素分離層により分離された水素が流れる多孔質体の水素抽出層とを備え、前記各層は、前記混合ガス層と前記水素抽出層との間に前記水素分離層が介在する状態で積層された積層構造を成す水素生成装置。
IPC (6件):
C01B 3/56 ,  B01D 53/22 ,  B01D 71/02 500 ,  C01B 3/38 ,  H01M 8/04 ,  H01M 8/06
FI (6件):
C01B 3/56 Z ,  B01D 53/22 ,  B01D 71/02 500 ,  C01B 3/38 ,  H01M 8/04 J ,  H01M 8/06 G
Fターム (29件):
4D006GA41 ,  4D006HA42 ,  4D006JA70A ,  4D006MA06 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA05 ,  4D006NA31 ,  4D006PA01 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  4G040EA06 ,  4G040EB33 ,  4G040EC01 ,  4G040FA06 ,  4G040FB09 ,  4G040FC07 ,  4G040FE01 ,  4G140EA06 ,  4G140EB37 ,  4G140EC01 ,  4G140FA06 ,  4G140FB09 ,  4G140FC07 ,  4G140FE01 ,  5H027AA02 ,  5H027BA01 ,  5H027BA16
引用特許:
審査官引用 (16件)
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