特許
J-GLOBAL ID：200903027489309298
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079810
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274556
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子及びその製造方法に関し、半導体技術に於いて普遍的に実用化されている技法を利用して、p側電極コンタクト層に於ける抵抗値を上昇させることなく、電極コンタクト抵抗を低下させて更に素子抵抗を低下させようとする。【解決手段】 p-Al<SB>x </SB>In<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>N(0≦x<1,0≦y<1)を材料とし且つ基板1側から表面側に向かってp型不純物濃度であるMg濃度が連続的乃至階段状に高められてなるp側電極コンタクト層10を備える。
請求項（抜粋）：
p-Al<SB>x </SB>In<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>N(0≦x<1,0≦y<1)を材料とし且つ基板側から表面側に向かってp型不純物濃度であるMg濃度が連続的乃至階段状に高められてなるp側電極コンタクト層を備えてなることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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