特許
J-GLOBAL ID：200903027499556447
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308768
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138231
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入によって形成する不純物層の欠陥をなくし、PN接合部における耐圧低下を防止できるようにする。【解決手段】 n- 型エピ層2にp型不純物であるBをイオン注入して不純物領域30を形成する、そして、不純物領域30の表層部を除去する。これにより、結晶性が乱れていない表層部が除去され、イオン注入によって結晶性が乱れた部分が残る。その後、Bを活性化させてp型ベース領域3を形成すると、最も深くイオン注入が成された位置側からのみ再結晶化が起こる。これにより、p型ベース領域3に結晶欠陥が残らず、p型ベース領域3とn- 型エピ層2とのPN接合部における耐圧低下を防止することができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層(2)中に第2導電型不純物をイオン注入したのち、該第2導電型不純物を活性化させて第2導電型の第2半導体層(3)を形成することで、PN接合を形成してなる半導体装置の製造方法において、前記第1半導体層に前記第2導電型不純物をイオン注入して不純物領域(30)を形成する工程と、前記不純物領域の表層部を除去したのち、前記第2導電型不純物を活性化させて前記第2半導体層を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 652 T
