特許
J-GLOBAL ID:200903027527973474
レジスト組成物、及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
高田 守 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-244161
公開番号(公開出願番号):特開2002-055450
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2002年02月20日
要約:
【要約】【課題】 250nm以下の波長の遠紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対する解像力がよく、さらに、優れたドライエッチング耐性を有するレジスト組成物を提供する。【解決手段】 本発明のレジスト組成物は、下記化学式で表され、1分子中に2個以上のアダマンチル骨格を有する第1の化合物を少なくとも1種類と、ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する第2の化合物と、を含有する。【化4】(上記化学式中、X,Y,Zは下記のように表される。X:-(OCO)m-(CH2)n-(COO)m-(m=0,1 n=0,1,2,3 (但し、n=0のときm=0))Y,Z:H,OH,F,Cl,Br,R,COOR(Y=Zでもよく、YとZが同一のアダマンチル骨格に導入されてもよい。Rは、炭素数1から8の直鎖または分岐アルキル基を示す。))
請求項(抜粋):
1分子中に2個以上のアダマンチル骨格を有する第1の化合物を少なくとも1種類と、ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する第2の化合物と、を含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (14件):
G03F 7/038 601
, C07C 35/37
, C08K 5/02
, C08K 5/09
, C08K 5/10
, C08K 5/17
, C08K 5/41
, C08L 33/02
, C08L 33/06
, C08L101/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
, C07C 69/96
FI (14件):
G03F 7/038 601
, C07C 35/37
, C08K 5/02
, C08K 5/09
, C08K 5/10
, C08K 5/17
, C08K 5/41
, C08L 33/02
, C08L 33/06
, C08L101/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, C07C 69/96 Z
, H01L 21/30 502 R
Fターム (43件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC03
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA12
, 2H025FA41
, 4H006AA01
, 4H006AB76
, 4H006BJ30
, 4H006FC36
, 4H006FE12
, 4J002BG011
, 4J002BG041
, 4J002BG051
, 4J002CH052
, 4J002EB096
, 4J002EB108
, 4J002EF086
, 4J002EF106
, 4J002EH136
, 4J002EN027
, 4J002EN067
, 4J002EN138
, 4J002EQ038
, 4J002EU187
, 4J002EV298
, 4J002EW178
, 4J002FD312
引用特許:
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