特許
J-GLOBAL ID:200903027527973474

レジスト組成物、及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-244161
公開番号(公開出願番号):特開2002-055450
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2002年02月20日
要約:
【要約】【課題】 250nm以下の波長の遠紫外線、特にArFエキシマレーザー光に対する解像力がよく、さらに、優れたドライエッチング耐性を有するレジスト組成物を提供する。【解決手段】 本発明のレジスト組成物は、下記化学式で表され、1分子中に2個以上のアダマンチル骨格を有する第1の化合物を少なくとも1種類と、ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する第2の化合物と、を含有する。【化4】(上記化学式中、X,Y,Zは下記のように表される。X:-(OCO)m-(CH2)n-(COO)m-(m=0,1 n=0,1,2,3 (但し、n=0のときm=0))Y,Z:H,OH,F,Cl,Br,R,COOR(Y=Zでもよく、YとZが同一のアダマンチル骨格に導入されてもよい。Rは、炭素数1から8の直鎖または分岐アルキル基を示す。))
請求項(抜粋):
1分子中に2個以上のアダマンチル骨格を有する第1の化合物を少なくとも1種類と、ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する第2の化合物と、を含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (14件):
G03F 7/038 601 ,  C07C 35/37 ,  C08K 5/02 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/10 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/41 ,  C08L 33/02 ,  C08L 33/06 ,  C08L101/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C07C 69/96
FI (14件):
G03F 7/038 601 ,  C07C 35/37 ,  C08K 5/02 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/10 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/41 ,  C08L 33/02 ,  C08L 33/06 ,  C08L101/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  C07C 69/96 Z ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (43件):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  4H006AA01 ,  4H006AB76 ,  4H006BJ30 ,  4H006FC36 ,  4H006FE12 ,  4J002BG011 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002CH052 ,  4J002EB096 ,  4J002EB108 ,  4J002EF086 ,  4J002EF106 ,  4J002EH136 ,  4J002EN027 ,  4J002EN067 ,  4J002EN138 ,  4J002EQ038 ,  4J002EU187 ,  4J002EV298 ,  4J002EW178 ,  4J002FD312
引用特許:
審査官引用 (3件)

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