半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184127
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015527
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】チップサイズを縮小したモノリシックマイクロ波集積回路を形成する。【解決手段】半絶縁性の基板31上にゲート電極32、ソース電極33及びドレイン電極34を配置してトランジスタセル35を形成する。セル35を多数本配置し、共通ソース電極36、37、共通ドレイン電極38、39、及び共通ゲート電極40、41で共通接続する。共通ゲート電極40と共通ドレイン電極38に接続されたセルを第1のトランジスタ6、共通ゲート電極41と共通ドレイン電極39に接続されたセルを第2のトランジスタ7として構成する。ゲート電極32がショットキー接触するチャネル領域52は各トランジスタ6、7で分離せず、連続した共通の領域で構成する。

請求項（抜粋）：

ソース又はドレインのいずれか一方を共通接続した第1と第2のトランジスタを、共通のチャネル領域上に配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Fターム (6件)：

5F102GA01 , 5F102GA17 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GS09

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216614 出願人：株式会社ジャパンエナジー
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-317007 出願人：日本電気株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-288219 出願人：関西日本電気株式会社

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