特許
J-GLOBAL ID：200903027536293214
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299755
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162475
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】単位FETのゲート電極を短くすることにより、くし型電極構造FETの最大上昇温度を低減させ、またゲート電極を分割することによって、信号出力の位相品質を向上かつ安定させる。【構成】くし型電極構造FET10の中央部にいくに従って、単位FET1〜4のゲート電極G1〜G4幅を短くしたものである。
請求項（抜粋）：
単位FETが複数個複合されたくし型電極構造FETの中央部単位FETのゲート電極の有効電極幅が短くなっている電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
