特許
J-GLOBAL ID:200903027537129582

チップ型半導体のパッケージ構造および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高宗 寛暁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-129684
公開番号(公開出願番号):特開平11-307816
出願日: 1998年04月24日
公開日(公表日): 1999年11月05日
要約:
【要約】【課題】 チップ型半導体のパッケージの構造に関し、表面実装の実装の際の剥離、断線がなく、パッケージ単体としてもショートがなく発光性能に優れ、且つ生産性に優れたものを提供する。【解決手段】 半導体チップ10のP層側とN層側の両端面(10a、10b)にそれぞれ別個の電極(11、12)が接合され、前記半導体チップ10の露出面が樹脂で覆われて構成されるチップ型半導体のパッケージ1の構造を、該パッケージ1は前記半導体チップのP層側とN層側の両端面(10a、10b)にそれぞれ対向するパッケージ端面(1a、1b)を有し、前記電極(11、12)は半導体チップの前記両端面(10a、10b)に固着してメッキにより形成され、前記パッケージ端面(1a、1b)の少なくとも一部において、前記電極(11、12)の外面が露出しているように構成する。
請求項(抜粋):
半導体チップのP層側とN層側の両端面にそれぞれ別個の電極が接合され、前記半導体チップの露出面が樹脂で覆われて構成されるチップ型半導体のパッケージ構造において、該パッケージは前記半導体チップのP層側とN層側の両端面にそれぞれ対向するパッケージ端面を有し、前記電極は半導体チップの前記両端面に固着してメッキにより形成され、前記パッケージ端面の少なくとも一部において、前記電極の外面が露出していることを特徴とするチップ型半導体のパッケージ構造。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L 33/00 M ,  H01L 23/12 L
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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