特許
J-GLOBAL ID：200903027554953370
リードピン付き配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-093588
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121034
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 多孔質絶縁膜を形成した半導体素子を搭載し、低熱膨張係数のガラスセラミックからなる絶縁基体を有する配線基板に取着したリードピンに斜め方向の外力が生じても、リードピンと絶縁基体との接合強度を確保できる高信頼性のリードピン付き配線基板を提供する。【解決手段】 40乃至400°Cでの熱膨張係数が2.3×10-6/°C〜4.5×10-6/°Cであるガラスセラミックスから成る絶縁基体5表面に配線導体6が形成され、絶縁基体5表面の配線導体6に、リードピン1のヘッド部1aが、Ti,ZrおよびHfのうちの少なくとも一種を含むAg-Cu合金ろう材から成る接続パッド2を介して接続されて成るリードピン付き配線基板3において、接続パッド2は、外周端部に裾野状のメニスカスが形成されているとともに、メニスカスは、絶縁基体5表面に対する傾斜角度が大きい上部と傾斜角度が小さい下部とから成る。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
40乃至400°Cでの熱膨張係数が2.3×10-6/°C〜4.5×10-6/°Cであるガラスセラミックスから成る絶縁基体の表面に配線導体が形成されるとともに、前記絶縁基体表面の前記配線導体に、リードピンのヘッド部が、Ti,ZrおよびHfのうちの少なくとも一種を含むAg-Cu合金ろう材から成る接続パッドを介して接続されて成るリードピン付き配線基板において、前記接続パッドは、外周端部に裾野状のメニスカスが形成されているとともに、前記メニスカスは、前記絶縁基体の表面に対する傾斜角度が大きい上部と前記傾斜角度が小さい下部とから成ることを特徴とするリードピン付き配線基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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