窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鮫島睦 , 田村恭生 , 言上惠一 , 田村啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-138074
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010359
出願日： 2008年05月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

【課題】シリコン基板を用いた窒化物半導体素子において、シリコン基板に形成する金属電極のオーミック接触性と密着性を両立し、電気特性と信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供すること。【解決手段】シリコン基板(2)と、シリコン基板(2)上に形成された窒化物半導体層(10)と、シリコン基板(2)に接して形成された金属電極(8、8’)とを備えた窒化物半導体素子であって、金属電極(8、8’)は、シリコン基板(2)に接して離散した島状に形成された第1金属層(4、4’)と、第1金属層(4、4’)の島同士の間から露出したシリコン基板(2)に接して第1金属層(4、4’)を覆うよう形成された第2金属層(6、6’)と、を有し、第2金属層(6、6’)は、シリコンとオーミック接触可能な金属から成り、第1金属層(4、4’)は、第2金属層(6、6’)と異なる金属とシリコンとを含む合金から成る。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された窒化物半導体層と、前記シリコン基板に接して形成された金属電極とを備えた窒化物半導体素子であって、前記金属電極は、前記シリコン基板に接して離散した島状に形成された第1金属層と、前記第1金属層の島同士の間から露出したシリコン基板に接して前記第1金属層を覆うよう形成された第2金属層と、を有し、前記第2金属層は、シリコンとオーミック接触可能な金属から成り、前記第1金属層は、前記第2金属層と異なる金属とシリコンとを含む合金から成ることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01S 5/323 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E , H01S5/323 610 , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B

Fターム (45件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F173AH22 , 5F173AH48 , 5F173AK08 , 5F173AK13 , 5F173AK15 , 5F173AL07 , 5F173AL13 , 5F173AQ02 , 5F173AQ03 , 5F173AR63

引用特許：

出願人引用 (3件)

発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-003514 出願人：サンケン電気株式会社
窒化物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-191227 出願人：澤木宣彦, シャープ株式会社
垂直構造ガリウムナイトライド発光ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-182502 出願人：三星電機株式会社

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