特許
J-GLOBAL ID：200903052262739746
発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-003514
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208729
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板上に結晶性の良好な発光機能層を形成でき、駆動電圧を低減することができる発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 発光素子1は、シリコン基板5と、シリコン基板5の表面を含む領域に形成された金属化合物領域6と、金属化合物領域6上に形成された窒化アルミニウム層7と、窒化アルミニウム層7上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層8と、反応源供給層8上に形成された発光機能層9とを備えている。そして、窒化アルミニウム層7は、反応源供給層8からシリコン基板5に拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、前記シリコン基板の表面を含む領域に形成され、ガリウムとインジウムとシリコンとを主成分とする金属化合物領域と、前記金属化合物領域上に形成された窒化アルミニウム層と、前記窒化アルミニウム層上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む第1窒化物系化合物半導体層と、前記第1窒化物系化合物半導体層上に形成され、発光機能を有する第2窒化物系化合物半導体層と、を備える、ことを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
5F041AA31
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB40
, 5F045AC08
, 5F045AD11
, 5F045AD14
, 5F045BB08
, 5F045BB16
, 5F045CA09
, 5F045DA53
