特許
J-GLOBAL ID：200903032038116503
垂直構造ガリウムナイトライド発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-182502
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108863
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】輝度及び素子の信頼性を向上させられる新たな構造のGaN発光ダイオードを提供する。【解決手段】第1コンタクトが形成された上面を有する第1導電型GaNクラッド層と、前記第1導電型GaNクラッド層の下面に形成された活性層と、前記活性層の下面に形成された第2導電型GaNクラッド層と、前記第2導電型GaNクラッド層に形成された導電性接着層と、前記導電性接着層の下面に形成され、第2コンタクトが形成された下面を有する導電性基板とを含むGaN発光ダイオードを提供する。本発明は前記垂直構造GaN発光ダイオードの製造方法も提供する。特に、前記方法においては、GaN単結晶面のダメージを防止できるサファイア基板の分離工程を提案する。本発明のGaN発光ダイオードによると、放熱効果と電流密度分布が向上し輝度が画期的に向上するばかりでなく、個々の素子に切断する工程がとても容易になる。特に、本発明において提案したサファイア基板の分離工程はGaN結晶面のダメージを防止でき、より優れた垂直構造GaN発光ダイオードが製造できるとの利点がある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1コンタクトが形成された上面を有する第1導電型GaNクラッド層と、
前記第1導電型GaNクラッド層の下面に形成された活性層と、
前記活性層の下面に形成された第2導電型GaNクラッド層と、
前記第2導電型GaNクラッド層に形成された導電性接着層と、
前記導電性接着層の下面に形成され、第2コンタクトが形成された下面と、
を有する導電性基板を含むGaN発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA21
, 5F041AA33
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA35
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA77
, 5F041CB15
