特許

J-GLOBAL ID：200903027576430796

レジスト組成物及びレジスト用重合体の製造方法

発明者： 白井 正充 ,  辻 昭一郎 ,  井谷 俊郎
出願人/特許権者： 公立大学法人大阪府立大学 ,  松下電器産業株式会社 ,  NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (12件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-253962
公開番号（公開出願番号）：特開2007-065504
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】遠紫外線及び放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチ耐性、パターン形状及びラインエッジラフネス等のレジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにする。【解決手段】レジスト組成物は、アクリル酸エステル誘導体等に由来する繰り返し単位を少なくとも1種類有し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸解離性基を有する重合体と、光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を含有している。重合体は、193nmにおける吸光度が1.0(1/μm)以下であり且つ分散度が1.4以下である。【選択図面】なし

請求項（抜粋）：

(A)一般式(I)で表される繰り返し単位を少なくとも1種類有し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸解離性基を有する重合体、 (B)光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を含有し、 前記重合体(A)は、193nmにおける吸光度が1.0(1/μm)以下であり且つ分散度が1.4以下であることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  C08F 4/40 ,  C08F 20/00 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  C08F4/40 ,  C08F20/00 510 ,  H01L21/30 502R

Fターム (14件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  4J015CA00

引用特許：

出願人引用 (3件)

• フォトレジスト組成物およびそれらの調製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-139039   出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• 酸解離性基含有重合体および感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-375311   出願人：JSR株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-174862   出願人：東京応化工業株式会社