特許
J-GLOBAL ID：200903027577174360
ハイブリッド反応モデルを用いたシミュレーションシステムまたはシミュレーション方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
田村 敬二郎
, 小林 研一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-023615
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217276
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】各種の原料ガスを用いてCVDによる薄膜形成を行う場合に、原料ガスが関与する反応過程に関するデータが無くてもシミュレーションを可能にする。【解決手段】気相と固相と固相表面とを有し、気相には化学反応により前記固相表面を形成しうる材料ガス21と、材料ガス21と固相表面を構成する物質との中間体ガス30と、材料ガス21と反応しうる反応性ガス11とを含み、気相と固相表面とのあいだに化学反応を伴う物質移動を生じる系のシミュレーションシステムであって、反応性ガス11の素反応に関する既知反応データを格納した素反応DBと、材料ガス21と中間体ガス30とを含む2種類ないし4種類の反応過程の反応データを格納した簡易モデルDBとを備え、これらDBを用いてシミュレーションを行う。【選択図】 図2-2
請求項（抜粋）：
気相と固相と前記両相の界面である固相表面とを有し、前記気相には、化学反応により前記固相表面から脱離したか又は化学反応により前記固相表面を形成しうる材料ガスと、当該材料ガスと前記固相表面を構成する物質との中間体ガスと、前記材料ガスまたは前記固相表面と反応しうる反応性ガスとを含み、前記気相と前記固相表面とのあいだに化学反応を伴う物質移動を生じる系のシミュレーションシステムであって、前記反応性ガスの素反応に関する既知反応データを格納した素反応データベースと、前記材料ガスと前記中間体ガスとを含む2種類ないし4種類の反応過程の反応データを格納した簡易モデルデータベースとを備え、前記素反応データベースと前記簡易モデルデータベースとを用いてシミュレーションを行うことを特徴とするシミュレーションシステム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/205
, H01L21/302 105Z
5F004AA16
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AC11
, 5F045AF03
