特許
J-GLOBAL ID：200903027671101597

III族窒化物基板を用いる半導体素子

発明者：
神原 康雄

神原 康雄 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-125989
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335559
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】高輝度LED素子または高出力レーザー素子を提供することを目的とする。【解決手段】III 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、前記基板がアルミニウムを含有したIII族窒化物基板とする。前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。前記III 族窒化物基板上に形成される前記窒化物半導体層は、少なくとも活性層、n型窒化物半導体層、p型窒化物半導体層を有し、前記活性層は、前記n型窒化物半導体層及び前記p型窒化物半導体層で挟まれるように積層されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III 族窒化物基板上に、活性層を有する窒化物半導体層を積層した半導体素子において、 前記基板がアルミニウムを含有したIII族窒化物基板であることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (22件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CB11 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA43 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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