特許
J-GLOBAL ID：200903027681222651

半導体装置の製造方法

発明者：
対比地 元幸

対比地 元幸 について

, 
飯沼 宏文

飯沼 宏文 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324465
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044149
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 従来、ダイシング等の半導体の機械的加工により発生する研磨屑、研削屑が混入された排水は、凝集沈殿法またはフィルタ濾過と遠心分離を組み合わせた二通りで処理されていた。しかし前者では、濾過水に薬品が混入し、濾過水の再利用が行えず、また後者は、システムとして大きくなり、イニシャルコスト、ランニングコストが高い問題を有していた。【解決手段】 濾過装置53を構成する第1のフィルタに被除去物を捕獲させると、この捕獲された被除去物が第2のフィルタとして機能する。従って第2のフィルタにより小さい被除去物が捕獲できるフィルタを形成することができる。しかも濾過装置は、吸引型であるため、原水タンク50を開放型にでき、設備構造も簡単で安価なモノが実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体を流体を利用して加工することにより発生する加工屑を、該加工屑の少なくとも一部を含むフィルタで該加工屑を除去する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622 ,  B01D 61/14 500 ,  B24B 55/12 ,  H01L 21/301
FI (4件)：
H01L 21/304 622 E ,  B01D 61/14 500 ,  B24B 55/12 ,  H01L 21/78 F
Fターム (21件)：
3C047GG13 ,  3C047GG17 ,  4D006GA07 ,  4D006HA41 ,  4D006JA31A ,  4D006JA35A ,  4D006KA02 ,  4D006KA43 ,  4D006KB13 ,  4D006KB14 ,  4D006KB20 ,  4D006KC14 ,  4D006KD08 ,  4D006MA03 ,  4D006MA06 ,  4D006MC03 ,  4D006MC22 ,  4D006PB08 ,  4D006PB15 ,  4D006PB20 ,  4D006PC01
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特開昭62-061691
  • 活性汚泥濾過装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-177201   出願人：大同均, 麻生栄治, 栗田工業株式会社, 新日本製鐵株式会社, 日立金属株式会社
  • 廃スラリ処理方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-073282   出願人：株式会社日平トヤマ, 東洋紡績株式会社
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審査官引用 (3件)
  • 特開昭62-061691
  • 活性汚泥濾過装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-177201   出願人：大同均, 麻生栄治, 栗田工業株式会社, 新日本製鐵株式会社, 日立金属株式会社
  • 廃スラリ処理方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-073282   出願人：株式会社日平トヤマ, 東洋紡績株式会社

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