特許
J-GLOBAL ID：200903027738052189
電気化学素子内に含まれる点欠陥を除去する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 伊坪 公一
, 下道 晶久
, 西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-542540
公開番号（公開出願番号）：特表2006-502545
出願日： 2003年10月01日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
本発明は、少なくとも1つの第1の基板及び少なくとも1つの第2の基板からなる積層素子内に位置する欠陥を除去するための、レーザー放射光線を用いる、方法に関する。前記積層は、前記第1及び第2の基板の間に少なくとも1つのインテリジェント活性領域を内蔵する。前記方法は、活性領域内に位置する少なくとも1つの欠陥を探し出すことからなる段階と、前記レーザー光線で欠陥を囲むことからなる欠陥除去段階と、で構成される。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の基板から及び少なくとも第2の基板から形成される積層内に存在する欠陥をレーザー放射の光線を用いて除去する方法において、前記積層は、前記第1及び第2の基板の間に少なくとも1つの「スマート」活性領域を内蔵し、
前記活性領域内に存在する少なくとも1つの欠陥を探し出す段階と、
前記レーザー光線を用いて前記欠陥を囲むことで構成される、前記欠陥を除去する段階と、
を有することを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/14
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA00
