特許
J-GLOBAL ID：200903027775867982

フォトマスク、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 仁

伊藤 仁 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-289008
公開番号（公開出願番号）：特開2005-055815
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】系統的段差が形成された被加工膜に対して適切なマスクパターンの転写が可能なフォトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板70と、透明基板70上の一部の領域に配置された第1のマスクパターン84と、透明基板70上の、一部の領域と異なる領域に配置された第2のマスクパターン86と、第1のマスクパターン84上に設けられ、第2のマスクパターン86より第1のマスクパターン84の焦点位置を深くする光学的膜厚を有する透光性膜88とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板と、 前記透明基板上の一部の領域に配置された第1のマスクパターンと、 前記透明基板上の、前記一部の領域と異なる領域に配置された第2のマスクパターンと、 前記第1のマスクパターン上に設けられ、前記第2のマスクパターンより前記第1のマスクパターンの焦点位置を深くする光学的膜厚を有する透光性膜 とを備えることを特徴とするフォトマスク。
IPC (3件)：
G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (5件)：
G03F1/08 G ,  G03F1/08 J ,  G03F1/08 L ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P
Fターム (4件)：
2H095BB02 ,  2H095BC08 ,  2H095BC09 ,  2H095BC24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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