特許
J-GLOBAL ID：200903027830924885

半導体装置及びその製造方法

発明者：
本郷 廣生

本郷 廣生 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-313283
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130761
出願日： 2006年11月20日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】チャネル部分にカーボンナノチューブを用いた半導体装置において、伝導型や閾値を制御すること。【解決手段】チャネルとなるカーボンナノチューブ6と、カーボンナノチューブ6の両端部と接続されるソース電極3、ドレイン電極4と、カーボンナノチューブ6の中間部分にて接するように配設されたゲート絶縁膜5と、カーボンナノチューブ6の上にてゲート絶縁膜5を介して配設されたゲート電極7と、を備える。カーボンナノチューブ6は、ゲート絶縁膜5とソース電極3の間の領域、及び、ゲート絶縁膜5とドレイン電極4の間の領域のそれぞれの領域にて、ゲート絶縁膜5とは異なる材料よりなる絶縁膜11と接する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャネルと、 前記チャネルの両端部と接続されるソース電極、ドレイン電極と、 前記チャネルの中間部分に接するように配設されたゲート絶縁膜と、 前記チャネルの上又は下にて前記ゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、 を備え、 前記チャネルは、前記ゲート絶縁膜と前記ソース電極の間の領域、及び、前記ゲート絶縁膜と前記ドレイン電極の間の領域のそれぞれの領域の全部又は一部にて、前記ゲート絶縁膜とは異なる材料よりなる第1絶縁膜と接することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/06
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/06 601N
Fターム (31件)：
5F110AA08 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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