特許
J-GLOBAL ID：200903027882706371

ホトダイオードアレイおよびその製造方法

発明者：
柴山 勝己

柴山 勝己 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟 ,  白井 和之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-155762
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294454
出願日： 2008年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】ホトダイオードアレイおよびその製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。【解決手段】n型シリコン基板3の被検出光の入射面側に、複数のホトダイオード4がアレイ状に形成され、かつ入射面側とその裏面側とを貫通する貫通配線8がホトダイオード4について形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側に、ホトダイオード4の形成領域を被覆し、被検出光を透過する透明樹脂膜6を設けてホトダイオードアレイ1とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被検出光の入射面側に、複数のホトダイオードがアレイ状に形成された半導体基板を備え、 前記半導体基板は、前記入射面側とその裏面側とを貫通する貫通配線が前記ホトダイオードについて形成され、 前記半導体基板の入射面側に、少なくとも前記ホトダイオードが形成された領域を被覆し、前記被検出光を透過する樹脂膜を設けた ことを特徴とするホトダイオードアレイ。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  G01T 1/20 ,  H01L 27/14
FI (5件)：
H01L31/10 A ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 G ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 D
Fターム (21件)：
2G088EE02 ,  2G088FF01 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118CA03 ,  4M118HA20 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  4M118HA40 ,  5F049MA02 ,  5F049NA09 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA20 ,  5F049QA12 ,  5F049RA10 ,  5F049SZ11 ,  5F049WA07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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