特許
J-GLOBAL ID：200903014060718896

MOS型撮像装置

発明者：
山口 ▲琢▼己

山口 ▲琢▼己 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070211
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270808
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流に起因する雑音の小さいMOS型撮像装置を提供する。【解決手段】 同一基板上に、複数の画素が配列された撮像領域と、前記撮像領域を動作させるための駆動回路を含む周辺回路領域とを備え、前記撮像領域においては、前記画素がフォトダイオードおよび少なくとも1つのMOSトランジスタを含み、前記周辺回路領域においては、前記駆動回路が複数のMOSトランジスタを含むMOS型撮像装置において、前記撮像領域および前記周辺回路領域において、MOSトランジスタ同士間を電気的に分離する素子分離部を、前記基板を侵食しないように前記基板上に形成された絶縁膜18、および、前記基板内に形成された不純物拡散領域19の少なくとも一方で構成する。
請求項（抜粋）：
同一基板上に、複数の増幅型単位画素が配列された撮像領域と、前記撮像領域を動作させるための駆動回路を含む周辺回路領域とを備え、前記撮像領域においては、前記増幅型単位画素がフォトダイオードおよび複数のMOSトランジスタを含み、このMOSトランジスタ同士間が第1の素子分離部により電気的に分離されており、前記周辺回路領域においては、前記駆動回路が複数のMOSトランジスタを含み、このMOSトランジスタ同士間が第2の素子分離部により電気的に分離されたMOS型撮像装置であって、前記第1の素子分離部および前記第2の素子分離部が、前記基板を侵食しないように前記基板上に形成された絶縁膜、および、前記基板内に形成された不純物拡散領域から選ばれる少なくとも一方であることを特徴とするMOS型撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 31/10
FI (4件)：
H01L 27/08 331 A ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 G
Fターム (28件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA42 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F049MA02 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049RA04 ,  5F049SZ20 ,  5F049UA01 ,  5F049UA12 ,  5F049UA13
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • CMOS超LSIの設計, 19890425, p2

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