金属フィルムを完全に平面化するための同期モデュレ-ションバイアススパッタ方式及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114605
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070004
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】ウエハの加熱を抑制し生産歩留まりを高める。【構成】基板上に平面化された金属フィルムを作るための方法であり、基板上に金属の薄い膜を堆積する工程と、その薄い膜が堆積された後、その堆積された薄い金属フィルム内に空所を生じさせ、その堆積された薄いフィルムの金属原子の可動性を高める工程と、その堆積された薄い金属フィルム内に空所を生じさせた後であって更に多くの金属を堆積させる前に、その薄い金属フィルム内の金属を再流動させるためにその堆積された薄いフィルムの表面を加熱する工程と、所定の厚さを有する金属層が形成されるまで上記一連の工程を繰り返す工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に平面化された金属フィルムを作るための方法であって、前記基板上に金属の薄いフィルムを堆積する工程と、前記堆積された薄いフィルムの金属原子の可動性を増すために前記堆積された薄い金属フィルム内に空所を発生させる工程と、前記薄い金属フィルム内に前記金属の再流動を生じさせるために前記堆積された薄いフィルムの表面を加熱する工程と、所定の厚さを有する金属層が形成されるまで上記一連の工程を多数回繰り返す工程とを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , C23C 14/58 , C23F 4/00 , H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-141348
特開平2-138456
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-068276 出願人：株式会社東芝

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