特許
J-GLOBAL ID:200903027909398968
荷電粒子線応用装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-052166
公開番号(公開出願番号):特開2008-215969
出願日: 2007年03月02日
公開日(公表日): 2008年09月18日
要約:
【課題】 マルチビーム型の半導体検査装置において、多様な特性を持つ試料に対して、高い欠陥検出感度と高い検査速度を両立させ得る荷電粒子線応用装置を提供する。【解決手段】 試料上における一次ビームの配置を可変とし、さらに、試料の特性を元に、最適な検査仕様で高速に検査を行うためのビーム配置を抽出する。また、また、多数の光学パラメータおよび装置パラメータを最適化する。さらに、抽出された一次ビームの特性を測定し、調整する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
同一の荷電粒子線源で発生した荷電粒子線を複数の一次ビームに分離して試料に照射し、発生する二次ビームを検出して得られる検出信号を処理することにより、当該試料の検査または計測を行う機能を備えた荷電粒子線応用装置において、
前記複数の一次ビームを形成して前記試料上に走査する一次光学系と、
該複数の一次ビーム照射により発生する二次ビームを各々分離して検出する二次光学系と、
前記荷電粒子線応用装置の制御手段とを備え、
該制御手段は、前記試料の特性に応じて前記複数の一次ビームの少なくとも一部を選択して前記試料上に走査させるよう前記一次光学系を動作させることを特徴とする荷電粒子線応用装置。
IPC (3件):
G01N 23/225
, H01J 37/28
, H01L 21/66
FI (3件):
G01N23/225
, H01J37/28 B
, H01L21/66 J
Fターム (32件):
2G001AA03
, 2G001AA05
, 2G001BA07
, 2G001BA15
, 2G001CA03
, 2G001DA06
, 2G001EA05
, 2G001GA05
, 2G001GA09
, 2G001GA11
, 2G001HA13
, 2G001JA02
, 2G001JA03
, 2G001JA16
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001QA01
, 2G001SA01
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106CA48
, 4M106DJ04
, 4M106DJ11
, 4M106DJ39
, 5C033UU01
, 5C033UU02
, 5C033UU03
, 5C033UU04
, 5C033UU05
, 5C033UU08
引用特許:
出願人引用 (1件)
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荷電粒子線応用装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-144934
出願人:株式会社日立ハイテクノロジーズ
審査官引用 (3件)
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