半導体装置の金属配線構造及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301633
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178157
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の金属配線構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】強誘電体キャパシタの下部電極用に蒸着された白金層がセルアレー領域ではキャパシタの下部電極としてパタニングされ、周辺回路領域ではローカルインターコネクションになる第1金属層109としてパタニングされ、第2金属配線119がアルミニウムからなることにより、オーム層のTi層を用いなくなり、強誘電体キャパシタの分極特性の劣化が抑制される。

請求項（抜粋）：

セルアレー領域と周辺回路領域とに分けられた半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記セルアレー領域及び周辺回路領域に各々コンタクトプラグを具備する第1層間絶縁層と、前記セルアレー領域のコンタクトプラグの上部に形成された強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタの下部電極用として蒸着された金属からなり、前記周辺回路領域のコンタクトプラグの上部に具備されてローカルインターコネクションよりなる第1金属配線と、前記強誘電体キャパシタ及び前記第1金属配線の上部に形成され、前記強誘電体キャパシタの上部電極と前記第1金属配線を各々露出させるブァイアホールを具備する第2層間絶縁層と、前記ブァイアホールを通じて前記強誘電体キャパシタ及び前記第1金属配線に連結される第2金属配線とを含んで構成されたことを特徴とする強誘電体キャパシタを具備した半導体装置の金属配線構造。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 481 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 481 , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 681 F , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-283672 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-342166
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-138193 出願人：ソニー株式会社

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