特許

J-GLOBAL ID：200903028003431573

パターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  森田 清之 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-334247
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140359
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】 レジストパターンのエッチング耐性を向上させる。【解決手段】 フェノールポリマーを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜に対して、パターン露光、現像及びリンスを行なって、レジスト膜の未露光部からなるレジストパターン18Aを形成する。次に、レジストパターン18Aを超臨界流体16中に保持して、レジストパターン18Aを構成するフェノールポリマーから保護基を脱離させることにより、エッチング耐性が向上したレジストパターン18Bを得る。

請求項（抜粋）：

酸の作用により保護基が脱離してアルカリ可溶性となるフェニルポリマーと、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像して、前記レジスト膜の未露光部よりなるレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを超臨界流体中で保持することにより、前記レジストパターンを構成する前記フェニルポリマーに含まれる前記保護基を脱離させる工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 570

Fターム (18件)：

2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096GA08 ,  2H096GA20 ,  2H096HA30 ,  2H096LA30 ,  5F046AA28 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超臨界乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248672   出願人：日本電信電話株式会社
• 化学増幅型レジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-372657   出願人：日本電気株式会社
• 超臨界液体現像性フォトレジストとしてのブロックコポリマーの使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-533479   出願人：コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド